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参数资料
| 型号： | ECH8602M-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.5nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8602M
6.0
5.5
ID -- VDS
12
11
VDS=10V
ID -- VGS
5.0
10
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
VGS=1.5V
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
70
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT15055
Ta=25°C
70
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT15048
60
50
ID=1.5A
3A
60
50
1.5A
5V, D
=2.
V, I D
=4.0
=3A
4.5V
VGS
40
30
20
10
40
30
20
10
VGS , ID
=
I =
VGS =3A
0
0
2
4
6
8
10
12
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
2
10
7
5
| y fs | -- ID
IT15309
VDS=10V
3
2
10
7
5
3
2
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT15310
VGS=0V
5 °
--2
° C
3
2
1.0
7
5
Ta
=
25
C
75
° C
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
3
2
0.01
7
5
3
2
0.1
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
0.001
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
7
5
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td(off)
IT15051
VDD=15V
VGS=4.5V
4.5
4.0
Diode Forward Voltage, VSD -- V
VGS -- Qg
VDS=15V
ID=6A
IT15052
3
3.5
2
1000
7
5
3
tf
tr
td(on)
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
2
0.5
100
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
2
3
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Drain Current, ID -- A
IT15053
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT15311
No. A1562-3/7
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