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参数资料
| 型号： | ECH8602M-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.5nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8602M
2
ASO
1.8
PD -- Ta
0 μ
100
7
5
3
2
IDP=60A
PW≤10μs
10
s
1.6
1.5
1.4
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 × 0.8mm)
ms
0m
e r a
tio
To
al
nit
ati
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
ID=6A
DC
Operation in this
area is limited by RDS(on).
op
10
1m
10
s
n
s
1.2
1.0
0.8
0.6
t
1u
Di
ss
ip
on
Ta=25 ° C
2 Single pulse
When mounted on
0.01
0.1
7
5
3
0.01
2 3 5 7 0.1
ceramic substrate (900mm 2 × 0.8mm)
2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 2 3
5
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT15058
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT5059
No. A1562-4/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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