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参数资料
| 型号： | ECH8656-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 7.5A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1060pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8656
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=1mA, VGS=0V
VDS=20V, VGS=0V
VGS=±8V, VDS=0V
20
1
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=4A
0.5
7
1.3
V
S
RDS(on)1
RDS(on)2
ID=4A, VGS=4.5V
ID=4A, VGS=4.0V
9
9.4
13
13.5
17
18
m Ω
m Ω
Static Drain-to-Source On-State Resistance
RDS(on)3
RDS(on)4
RDS(on)5
ID=4A, VGS=3.1V
ID=2A, VGS=2.5V
ID=0.5A, VGS=1.8V
11
12.5
17
16
18
30
22
26
48
m Ω
m Ω
m Ω
Input Capacitance
Ciss
1060
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VDS=10V, f=1MHz
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=7.5A
180
135
17.5
120
68
80
10.8
2.1
2.9
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=7.5A, VGS=0V
0.74
1.2
V
Switching Time Test Circuit
4V
0V
VIN
VIN
VDD=10V
ID=4A
RL=2.5 Ω
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
G
D
VOUT
P.G
50 Ω
S
ECH8656
Ordering Information
Device
ECH8656-TL-H
Package
ECH8
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free and Halogen Free
No.9010-2/7
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