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参数资料
| 型号： | ECH8656-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 7.5A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1060pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8656
7.5
7.0
6.5
ID -- VDS
10
9
ID -- VGS
VDS=10V
6.0
5.5
5.0
8
7
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
1.8V
VGS=1.5V
6
5
4
3
2
1
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
40
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT16586
Ta=25°C
40
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT12484
=1.8
=0.5
=4.0
3.1V
VGS
35
30
25
ID=0.5A
2.0A
4.0A
35
30
25
VGS
V, I D
A
=
, ID
A
=2.0
=2.5
, I D=
=4.5V
VGS
=4.0
4.0V
20
15
10
20
15
10
VGS
VGS
V, I D
A
4.0A
=
, ID
A
5
5
0
0
2
4
6
8
10
0
--75
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
7
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
| y fs | -- ID
VDS=10V
IT16587
10
7
5
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT16588
VGS=0V
5
3
° C
25
° C
3
2
Ta
=
--
75
2
1.0
7
5
1.0
7
25
° C
3
2
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.1
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
0.01
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1000
7
5
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT12487
VDD=10V
VGS=4V
3
2
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT12488
f=1MHz
Ciss
3
2
1000
7
100
td(off)
5
7
5
tf
3
2
Coss
3
2
tr
td(on)
100
7
C rs s
10
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Drain Current, ID -- A
IT12489
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT12490
No.9010-3/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| ECH8659 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
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