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参数资料
| 型号： | ECH8656-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 7.5A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1060pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8656
mm
Outline Drawing
ECH8656-TL-H
Mass (g) Unit
0.02
* For reference
Land Pattern Example
0.65
0.4
Unit: mm
No.9010-6/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| ECH8661-TL-H | MOSFET N/P-CH 30V 7A ECH8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| ECH8659 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8659_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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