- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录410 > ECH8659-TL-H (ON Semiconductor)MOSFET N-CH DUAL 30V 7A ECH8 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ECH8659-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 7A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 710pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8659
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=1mA, VGS=0V
VDS=30V, VGS=0V
VGS=±16V, VDS=0V
30
1
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
RDS(on)1
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=3.5A
ID=3.5A, VGS=10V
1.2
2.2
3.7
18
2.6
24
V
S
m Ω
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=2A, VGS=4.5V
ID=2A, VGS=4V
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=15V, VGS=10V, ID=3.5A
IS=7A, VGS=0V
29
39
710
120
72
10
25
43
25
11.8
2.4
2.0
0.79
41
55
1.2
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Switching Time Test Circuit
10V
0V
VIN
VIN
VDD=15V
ID=3.5A
RL=4.3 Ω
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
D
VOUT
G
ECH8659
P.G
50 Ω
S
Ordering Information
Device
ECH8659-TL-H
Package
ECH8
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free and Halogen Free
No. A1224-2/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECH8660-TL-H | MOSFET N/P-CH 30V 4.5A ECH8 |
| ECH8661-TL-H | MOSFET N/P-CH 30V 7A ECH8 |
| ECH8662-TL-H | MOSFET N-CH DUAL 40V 6.5A ECH8 |
| ECH8667-TL-H | MOSFET P-CH DUAL 30V 5.5A ECH8 |
| ECH8668-TL-H | MOSFET N/P-CH 20V 7.5A ECH8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ECH8659-TL-HX | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCH+NCH 4V DRIVE SERIES - Tape and Reel |
| ECH8660 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8660_10 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8660-S-TL-H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PCH+NCH 4V DRIVE SERIES - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / PCH+NCH 4V DRIVE SERIES |
| ECH8660-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。