- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录410 > ECH8659-TL-H (ON Semiconductor)MOSFET N-CH DUAL 30V 7A ECH8 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ECH8659-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 7A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 710pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8659
3.5
7
6
ID -- VDS
V
14
13
12
ID -- VGS
VDS=10V
11
5
4
3
10
9
8
7
6
5
2
1
0
VGS=3.0V
4
3
2
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
80
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT13723
Ta=25 ° C
70
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT13724
70
60
I =2.0
4.0V, D
,I =
=3.5A
=10.0
60
50
40
30
20
ID=2A
3.5A
50
40
30
20
VG S=
VGS
V GS
A
2.0A
= 4.5V D
V, I D
10
0
10
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
10
7
| y fs | -- ID
IT13725
VDS=10V
3
2
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT13726
VGS=0V
5
3
10
7
5
-25
° C
2
1.0
Ta
=-
° C
75
3
2
1.0
7
7
5
25
° C
5
3
2
3
2
0.1
7
0.1
7
5
3
2
0.01
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
100
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT13727
2
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT13728
f=1MHz
7
5
3
td(off)
tf
1000
7
5
Ciss
2
3
10
7
5
3
2
td(on)
tr
VDD=15V
VGS=10V
2
100
7
5
3
C o ss
Crss
0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7
10
2
3
0
5
10
15
20
25
30
Drain Current, ID -- A
IT13729
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT13730
No. A1224-3/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECH8660-TL-H | MOSFET N/P-CH 30V 4.5A ECH8 |
| ECH8661-TL-H | MOSFET N/P-CH 30V 7A ECH8 |
| ECH8662-TL-H | MOSFET N-CH DUAL 40V 6.5A ECH8 |
| ECH8667-TL-H | MOSFET P-CH DUAL 30V 5.5A ECH8 |
| ECH8668-TL-H | MOSFET N/P-CH 20V 7.5A ECH8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ECH8659-TL-HX | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCH+NCH 4V DRIVE SERIES - Tape and Reel |
| ECH8660 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8660_10 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8660-S-TL-H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PCH+NCH 4V DRIVE SERIES - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / PCH+NCH 4V DRIVE SERIES |
| ECH8660-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。