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参数资料
| 型号： | ECH8675-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 20V 4.5A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 46 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 670pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8675
--4.5
--4.0
ID -- VDS
--1.8V
--7
--6
ID -- VGS
VDS= --10V
--3.5
--5
--3.0
--2.5
--2.0
--4
--3
--1.5
--1.0
--0.5
VGS= --1.5V
--2
--1
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
200
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT12998
Ta=25°C
140
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT12999
180
160
120
VGS
--1.8V
140
120
100
80
=
, I D=
--0.
5A
--1.5A
--2.5V
VGS
V, I D=
= --4.5
100
80
60
ID= --0.5A
--1.5A
--3.0A
60
40
=
V GS
, I D=
--3.0A
40
20
20
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
0
--60 --40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
2
10
7
5
| y fs | -- ID
IT14506
V DS= --10V
--10
7
5
3
2
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT14507
VGS=0V
Ta
° C
3
2
=
--2
5 ° C
75
--1.0
7
5
3
1.0
2
° C
7
5
3
2
25
--0.1
7
5
3
2
0.1
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
--0.01
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
1000
7
5
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT13002
VDD= --10V
VGS= --4.5V
3
2
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT13003
f=1MHz
3
2
1000
100
7
5
3
2
10
7
5
td(off)
tf
tr
td(on)
7
5
3
2
100
7
Ciss
Coss
Crss
3
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
5
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
--20
Drain Current, ID -- A
IT13004
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT13005
No. A1437-3/7
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