- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录410 > ECH8675-TL-H (ON Semiconductor)MOSFET P-CH DUAL 20V 4.5A ECH8 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ECH8675-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 20V 4.5A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 46 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 670pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8675
PW ≤ 10 μ s
IDP= --30A
1m 0 μ s
10
ID= --4.5A
ms
10
DC
2 0m
era
t o
i
n(
5 Ta
25
° C
Operation in this area
When mounted on ceramic substrate (1200mm 2 × 0.8mm) 1unit
--0.01
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
0
VDS= --10V
ID= --4.5A
1 2
VGS -- Qg
3 4 5
6
7
8
7
5
3
--10 s
7
5
3
--1.0
7
3
2 )
--0.1
7
5
--0.01
ASO
op s
is limited by RDS(on).
3 Ta=25 ° C
2 Single pulse
2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 2
=
2 10
3
1.6
1.5
1.4
Total Gate Charge, Qg -- nC IT13006
PD -- Ta
When mounted on ceramic substrate
(1200mm 2 × 0.8mm)
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT14508
1.3
1.2
1.0
0.8
0.6
1u
ni
t
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT14505
No. A1437-4/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EE-1005 | CONNECTOR FOR PHOTOSENSORS |
| EE-SB5 | SENSR OPTO TRANS 5MM REFL SOLDER |
| EE-SF5 | SENSR OPTO TRANS 5MM REFL SOLDER |
| EE-SY110 | SENSR OPTO TRANS 5MM REFL TH PCB |
| EE-SY113 | SENSOR OPTO TRANS 4.4MM REFL PCB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ECH8690-TL-H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PCH+NCH 4V DRIVE SERIES - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / PCH+NCH 4V DRIVE SERIES |
| ECH8697R-TL-W | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCH 2.5V COMMON-DRAIN |
| ECH8901 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor P-Channel Silicon MOSFET |
| ECHA000 | 制造商:Siemens 功能描述: |
| ECHA075 | 制造商:Siemens 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。