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参数资料
| 型号： | EDI816256CA |
| 英文描述： | 256Kx16 Monolithic SRAM(CMOS，256Kx16单片静态RAM) |
| 中文描述： | 256Kx16单片的SRAM（的CMOS，256Kx16单片静态内存） |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | EDI816256CA |
5
White Electronic Designs Corporation Phoenix, AZ (602) 437-1520
EDI816256CA
Characteristic
Sym
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Low Power Version only
Data Retention Voltage
VDD
VDD = 2.0V
2
–
V
Data Retention Quiescent Current
ICCDR
CS
≥ VDD -0.2V
–
2.2
mA
Chip Disable to Data Retention Time (1)
TCDR
VIN
≥ VDD -0.2V
0
–
ns
Operation Recovery Time (1)
TR
or VIN
≤ 0.2V
TAVAV
––
ns
DATA RETENTION CHARACTERISTICS (EDI816256LPA ONLY)
(TA = -55
°C to +125°C)
WS32K32-XHX
DATA RETENTION - CS CONTROLLED
DATA RETENTION, CS CONTROLLED
Data Retention Mode
tR
Vcc
CS
tCDR
CS = VDD -0.2V
VDD
4.5V
NOTE:
1. This parameter is guaranteed by design but not tested.
* Read Cycle Time
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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