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参数资料
| 型号： | EE-SY124 |
| 厂商： | Omron Electronics Inc-EMC Div |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SENSR OPTO TRANS 1MM REFL TH PCB |
| 产品变化通告： | EE-SY12x Discontinuation |
| 产品目录绘图： | EE-SY12(4,5) Reflective Sensing |
| 标准包装： | 50 |
| 检测距离： | 0.039"（1mm） |
| 检测方法： | 反射 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 20mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| 输出类型： | 光电晶体管 |
| 响应时间： | 35µs，25µs |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | PCB 安装 |
| 包装： | 散装 |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 其它名称： | EESY124 OR520 |
I Engineering Data
Forward Current vs. Collector
Dissipation Temperature Rating
P C
Light Current vs. Forward Current
Characteristics (Typical)
Ta = 25 ° C
V CE = 2 V
d = 1 mm
Sensing object:
Aluminum-deposited
Light Current vs. Collector ? Emitter
Voltage Characteristics (Typical)
Ta = 25 ° C
d = 1 mm
Sensing object:
Aluminum-deposited
surface
surface
I F
Ambient temperature Ta ( ° C)
Relative Light Current vs.
Ambient Temperature
Characteristics (Typical)
I F = 4 mA
V CE = 2 V
Ambient temperature Ta ( ° C)
Response Time vs. Load Resistance
Characteristics (Typical)
Light current I L ( μ A)
Relative Collector Current vs.
Card Moving Distance (2)
Forward current I F (mA)
Dark Current vs. Ambient
Temperature Characteristics
(Typical)
Ambient temperature Ta ( ° C)
Sensing Distance Characteristics
(Typical)
T A = 25 ° C
I F = 4 mA
V CE = 2 V
d = 1 mm
Sensing object:
Aluminum-deposited
surface
Distance d (mm)
Response Time Measurement
Circuit
Input
90 %
Output
10 %
Collector ? Emitter voltage V CE (V)
Response Time vs. Load Resistance
Characteristics (Typical)
Light current I L (mA)
Relative Light Current vs.
Card Moving Distance (1)
Card moving distance L (mm)
Input
Output
Card moving distance L (mm)
Photomicrosensor (Reflective) EE-SY124
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EE-SY125 | OPTO SENSOR 1MM REFLECT SMD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EESY125 | 制造商:Omron Electronic Components LLC 功能描述:OPTO SENSOR 1MM REFLECT SMD 制造商:Omron Electronic Components LLC 功能描述:OPTO SWITCH REFLECTIVE 1MM |
| EE-SY125 | 功能描述:光学开关（反射型，光电晶体管输出） REFL PHOTOTRANSISTOR RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 感应距离:1 mm 输出设备:Phototransistor 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V 最大集电极电流:20 mA 正向电压:1.2 V 反向电压:5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 安装风格:SMD/SMT 封装:Reel |
| EE-SY125 | 制造商:Omron Electronic Components LLC 功能描述:Optical Sensor (Switch) Reflective |
| EESY169 | 制造商:Omron Electronic Components LLC 功能描述:NON-AMPLIFIED SENSOR - Bulk 制造商:Omron Electronic Components LLC 功能描述:Photointerrupter Reflective Phototransistor 4-Pin |
| EE-SY169 | 功能描述:光学开关（反射型，光电晶体管输出） REFL CONV PHTOTRNSTR RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 感应距离:1 mm 输出设备:Phototransistor 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V 最大集电极电流:20 mA 正向电压:1.2 V 反向电压:5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 安装风格:SMD/SMT 封装:Reel |
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