- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录411 > EMH2308-TL-E (ON Semiconductor)MOSFET P-CH DUAL 30V 3A ECH8 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | EMH2308-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 30V 3A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 320pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-EMH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
EMH2308
--3.0
ID -- VDS
--5.0
--4.5
VDS= --10V
ID -- VGS
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--0.5
--1.5V
VGS= --1.2V
--1.0
--0.5
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
0
--0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 --2.0 --2.2
= --0
--1.8
VGS
--1.0A
2.5V D
= --
V, I D=
= --4.5
240
210
180
150
120
90
60
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
ID= --0.5A
--1A
--3A
IT14533
Ta=25 ° C
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
.5A
V, I D
=
,I =
VGS
--3.0A
V GS
IT14534
30
40
20
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
0
--60 --40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
10
7
| y fs | -- ID
IT14535
VDS= --10V
7
5
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT14536
VGS=0V
5
3
3
2
--1.0
° C
° C
2
1.0
7
Ta
=
--2
5 ° C
25
75
7
5
3
2
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
0.1
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5
7
--0.01
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
--1.1
5
3
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT14537
VDD= --10V
VGS= --4.5V
7
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT14538
f=1MHz
2
100
7
5
td(off)
3
2
Ciss
3
2
10
7
td(on)
tf
tr
100
7
5
Coss
Crss
5
3
3
2
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
--20
Drain Current, ID -- A
IT14539
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT14540
No. A1445-3/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EMH2314-TL-H | MOSFET P-CH DUAL 12V 5A EMH8 |
| EMH2408-TL-H | MOSFET N-CH DUAL 20V 4A EMH8 |
| EMH2409-TL-H | MOSFET N-CH DUAL 30V 4A EMH8 |
| EMH2411R-TL-H | MOSFET N-CH DUAL 30V 5A EMH8 |
| EMH2412-TL-H | MOSFET N-CH DUAL 24V 6A EMH8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EMH2314 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| EMH2314-TL-H | 功能描述:MOSFET PCH+PCH 1.8V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| EMH2401 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
| EMH2401-TL-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 20V 3A EMH8 |
| EMH2402 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。