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参数资料
| 型号： | EMH2308-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 30V 3A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 320pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-EMH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
EMH2308
mm
Outline Drawing
EMH2308-TL-H
Mass (g) Unit
0.008
* For reference
Land Pattern Example
0.5
0.3
Unit: mm
No. A1445-6/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EMH2314-TL-H | MOSFET P-CH DUAL 12V 5A EMH8 |
| EMH2408-TL-H | MOSFET N-CH DUAL 20V 4A EMH8 |
| EMH2409-TL-H | MOSFET N-CH DUAL 30V 4A EMH8 |
| EMH2411R-TL-H | MOSFET N-CH DUAL 30V 5A EMH8 |
| EMH2412-TL-H | MOSFET N-CH DUAL 24V 6A EMH8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EMH2314 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| EMH2314-TL-H | 功能描述:MOSFET PCH+PCH 1.8V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| EMH2401 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
| EMH2401-TL-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 20V 3A EMH8 |
| EMH2402 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
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