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参数资料
| 型号： | EMH2408-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V 4A EMH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 345pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-EMH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
EMH2408
4.0
ID -- VDS
5.0
ID -- VGS
VDS=10V
3.5
4.5
4.0
3.0
3.5
2.5
3.0
2.0
1.5
1.5V
2.5
2.0
1.5
1.0
1.0
0.5
0
VGS=1.2V
0.5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
=0.5
=1.8
110
100
90
80
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
ID=0.5A
1A
4A
IT13499
Ta=25°C
110
100
90
80
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
A
V, I D
VGS
IT13500
V, I D
=2.5
, I D=
=4.5V
70
60
50
40
30
20
10
0
70
60
50
40
30
20
10
0
VGS
VGS
=1A
4A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
7
5
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
| y fs | -- ID
VDS=10V
IT13501
7
5
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT13502
VGS=0V
3
3
2
-25
75 °
2
1.0
Ta
=-
° C
C
1.0
7
5
3
7
5
2
5 °
C
2
0.1
7
3
2
0.1
5
3
2
0.01
0.01
2
3
5
7 0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
5
3
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT13503
VDD=10V
VGS=4.5V
1000
7
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT13504
f=1MHz
2
100
7
5
3
Ciss
5
td (off)
2
3
2
tf
100
10
7
td(on)
tr
7
5
Coss
Crss
5
3
2
3
2
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Drain Current, ID -- A
IT13505
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT13506
No. A1170-3/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| EMH2411R | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| EMH2411R_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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