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参数资料
| 型号： | EMH2801-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET/SBD P-CH EMH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 320pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-EMH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Ordering number : ENA1821A
EMH2801
P-Channel Power MOSFET
–20V, –3A, 85m Ω , Single EMH8 with Schottky Diode
Features
http://onsemi.com
?
Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package
facilitating high-density mounting
?
?
[MOSFET]
[SBD]
?
?
Low ON-resistance
Small switching noise
?
?
1.8V drive
Low forward voltage (IF=2.0A, VF max=0.46V)
?
Halogen free compliance
Speci ? cations
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
[MOSFET]
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
VDSS
VGSS
ID
--20
±10
--3
V
V
A
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
IDP
PD
Tch
Tstg
PW ≤ 10 μ s, duty cycle ≤ 1%
When mounted on ceramic substrate (900mm 2 × 0.8mm) 1unit
--20
1.0
150
--55 to +125
A
W
°C
°C
Continued on next page.
This product is designed to “ESD immunity < 200V * ”, so please take care when handling.
* Machine Model
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7045-007
Product & Package Information
? Package : EMH8
? JEITA, JEDEC : -
? Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel
8
0.2
5
0.125
EMH2801-TL-H
Packing Type : TL
Marking
QA
TL
Lot No.
1
0.5
4
Electrical Connection
2.0
1 : Anode
8
7
6
5
2 : No Contact
3 : Source
4 : Gate
5 : Drain
6 : Drain
7 : Cathode
8 : Cathode
EMH8
1
2
3
4
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
July, 2013
62712 TKIM/81110PE TKIM TC-00002458 No. A1821-1/8
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ENW1-EW07 | LAMP INCAND T1.5 NEO WEDGE 14V |
| ENW1-EW87 | LAMP T1-1/2 NEO WEDGE 14V 0.140A |
| ENW2-EW10/GRA | LAMP INCAND T1.5 NEO WEDGE 14V |
| ERD-9307IPR | IP RADIO BOARD FOR EDB9307A-Z |
| ERT-D2FHL103S | 10K OHM THERMISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EMH2T2R | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 DUAL NPN 50V 30MA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| EMH3 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:General purpose (dual digital transistors) |
| EMH350PD21-EF | 制造商:XP Power 功能描述:POWER SUPPLY 350W 12V 16.5A 制造商:XP Power 功能描述:AC-DC CONV, ENCLOSED, 2 O/P, 354W, Power Supply Output Type:Adjustable, Fixed, Input Voltage VAC:80V to 275V, No. of Outputs:2, Output Power Max:354W 制造商:XP Power 功能描述:ENCLOSED PSU, 350W DUAL OUTPUT |
| EMH350PD21-U | 制造商:XP Power 功能描述:POWER SUPPLY 350W 12V 16.5A |
| EMH350PD22-EF | 制造商:XP Power 功能描述:POWER SUPPLY 350W 12V 16.5A |
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