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参数资料
| 型号： | EMH2801-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET/SBD P-CH EMH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 320pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-EMH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
EMH2801
3
IF -- VF
[SBD]
1.0E+05
IR -- VR
[SBD]
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
7
5
3
2
1.0E+04
1.0E+03
1.0E+02
1.0E+01
1.0E+00
Ta=125 ° C
100 ° C
75 ° C
50 ° C
25 ° C
0 ° C
--25 ° C
0.001
0
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
1.0E-01
0
2
4
6
8
10
12
14
16
wave
R
Sine wave 360 °
1.2
1.0
0.8
0.6
Rectangular
wave
θ
360 °
Sine wave
180 °
360 °
Forward Voltage, VF -- V
PF(AV) -- IO
(2) (4)
(1)
IT12192
[SBD]
(3)
0.0014
0.0012
0.0010
0.0008
0.0006
Reverse Voltage, VR -- V
PR(AV) -- VR
(1)Rectangular wave θ =300 °
(2)Rectangular wave θ =240 °
(3)Rectangular wave θ =180 °
(4)Sine wave θ =180 °
360 °
Rectangular θ
V
180 °
IT12193
[SBD]
(1)
(2)
( 3)
0.4
(1)Rectangular wave θ =60 °
0.0004
VR
(4)
0.2
(2)Rectangular wave θ =120 °
(3)Rectangular wave θ =180 °
0.0002
0
0
0.5
(4)Sine wave θ =180 °
1.0 1.5
2.0
2.5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
5
Average Output Current, IO -- A
C -- VR
IT12194
[SBD]
24
Average Reverse Voltage, VR -- V
IFSM -- t
IT12195
[SBD]
f=1MHz
Current waveform 50Hz sine wave
3
20
IS
2
100
16
20ms
t
7
12
5
8
3
2
4
10
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
2
3
0
0.01
2
3
5
7 0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
Reverse Voltage, VR -- V
IT13213
Time, t -- s
IT13214
No. A1821-5/8
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参数描述 |
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