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参数资料
| 型号： | EMH2801-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET/SBD P-CH EMH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 320pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-EMH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
EMH2801
10
7
| y fs | -- ID
[MOSFET]
VDS= --10V
7
5
IS -- VSD
[MOSFET]
VGS=0V
5
3
3
2
--1.0
° C
2
1.0
7
Ta
=
--2
5 ° C
25
75
° C
7
5
3
2
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
0.1
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5
7
--0.01
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
--1.1
Diode Forward Voltage, VSD -- V
5
3
2
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT14537
[MOSFET]
VDD= --10V
VGS= --4.5V
7
5
3
IT14538
Ciss, Coss, Crss -- VDS [MOSFET]
f=1MHz
Ciss
100
7
5
td(off)
2
3
2
10
7
td(on)
tf
tr
100
7
5
Coss
Crss
5
3
3
2
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
--20
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
0 μ
1m
ID= --3A
ms
0m
era
n(
Ta
25
° C
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
VDS= --10V
ID= --3A
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
IT14539
[MOSFET]
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
ASO [MOSFET]
IDP= --20A (PW ≤ 10 μ s)
op s
Operation in this area )
is limited by RDS(on).
DC 10
tio
10
=
10
s
IT14540
s
When mounted on ceramic substrate (900mm 2 × 0.8mm) 1unit
--0.01
--0.5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
--0.01
3 Ta=25 ° C
2 Single pulse
2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10
2
3
1.2
Total Gate Charge, Qg -- nC IT14541
PD -- Ta [MOSFET]
When mounted on ceramic substrate
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT15908
(900mm 2 × 0.8mm)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT15909
No. A1821-4/8
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ENW1-EW07 | LAMP INCAND T1.5 NEO WEDGE 14V |
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| ERD-9307IPR | IP RADIO BOARD FOR EDB9307A-Z |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EMH2T2R | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 DUAL NPN 50V 30MA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| EMH3 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:General purpose (dual digital transistors) |
| EMH350PD21-EF | 制造商:XP Power 功能描述:POWER SUPPLY 350W 12V 16.5A 制造商:XP Power 功能描述:AC-DC CONV, ENCLOSED, 2 O/P, 354W, Power Supply Output Type:Adjustable, Fixed, Input Voltage VAC:80V to 275V, No. of Outputs:2, Output Power Max:354W 制造商:XP Power 功能描述:ENCLOSED PSU, 350W DUAL OUTPUT |
| EMH350PD21-U | 制造商:XP Power 功能描述:POWER SUPPLY 350W 12V 16.5A |
| EMH350PD22-EF | 制造商:XP Power 功能描述:POWER SUPPLY 350W 12V 16.5A |
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