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参数资料
| 型号： | EMH2411R-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 5A EMH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 N 沟道（双）共漏 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36.5 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.9nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-EMH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
EMH2411R
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=1mA, VGS=0V
VDS= 3 0V, VGS=0V
VGS=±8V, VDS=0V
30
1
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID= 3 A
0.5
3
5
1.3
V
S
RDS(on)1
RDS(on)2
ID=2.5A, VGS=4.5V
ID=2.5A, VGS=4V
19.5
20
28
29
36.5
38
m Ω
m Ω
Static Drain-to-Source On-State Resistance
RDS(on)3
RDS(on)4
RDS(on)5
ID=1A, VGS=3.7V
ID=1A, VGS=3.1V
ID=1A, VGS=2.5V
21
21
22.5
30
33
38
39
46.5
54
m Ω
m Ω
m Ω
Turn-ON Delay Time
td(on)
300
ns
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=5A
840
3200
1650
5.9
1
1.2
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=5A, VGS=0V
0.8
1.2
V
Switching Time Test Circuit
4.5V
0V
VIN
VIN
VDD=10V
ID=3A
RL=3.33 Ω
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
G
Rg
D
VOUT
EMH2411R
P.G
50 Ω
S
Rg=2k Ω
Ordering Information
Device
EMH2411R-TL-H
Package
EMH8
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free and Halogen Free
No. A1421-2/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EMH2412-TL-H | MOSFET N-CH DUAL 24V 6A EMH8 |
| EMH2604-TL-H | MOSFET N/P-CH 20V 4A EMH8 |
| EMH2801-TL-H | MOSFET/SBD P-CH EMH8 |
| ENW1-EW07 | LAMP INCAND T1.5 NEO WEDGE 14V |
| ENW1-EW87 | LAMP T1-1/2 NEO WEDGE 14V 0.140A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EMH2412 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| EMH2412_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| EMH2412-TL-H | 功能描述:MOSFET PCH+SBDSWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| EMH25 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:General purpose (dual digital transistors) |
| EMH250PS12 | 制造商:XP Power 功能描述:POWER SUPPLY AC-DC 12V 21A 制造商:XP Power 功能描述:PSU MEDICAL 250W SINGLE OUTPUT 制造商:XP Power 功能描述:PSU, MEDICAL, 250W, SINGLE OUTPUT 制造商:XP Power 功能描述:AC-DC CONV, OPEN FRAME, 1 O/P, 252W, 21A, 12V; Power Supply Output Type:Adjustable, Fixed; Input Voltage VAC:80V to 275V; No. of Outputs:1; Output Voltage Nom.:12V; Output Current Max:21A; Output Power Max:252W; Applications:Medical ;RoHS Compliant: Yes |
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