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参数资料
| 型号： | EPC2 |
| 厂商： | Altera Corporation |
| 英文描述： | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| 中文描述： | 配置SRAM器件基于LUT的器件 |
| 文件页数： | 13/36页 |
| 文件大小： | 283K |
| 代理商： | EPC2 |
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Altera Corporation
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Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices Data Sheet
When configuring APEX II, APEX 20K, Mercury, ACEX 1K, and
FLEX 10K devices with cascaded EPC2 or EPC1 devices, the position of
the EPC2 or EPC1 device in the chain determines its operation. Similarly,
when configuring FLEX 6000 devices with cascaded EPC1 devices, the
position of the EPC1 device in the chain determines its operation. When
the first or master device in a configuration device chain is powered-up or
reset and the
nCS
pin is driven low, the master device controls
configuration. The master device supplies all clock pulses to one or more
LUT-based PLDs and to any subsequent slave devices during
configuration. The master EPC2 or EPC1 device also provides the first
stream of data to the LUT-based PLD during multi-device configuration.
After the master EPC2 or EPC1 device finishes sending configuration
data, the master EPC2 or EPC1 device drives its
nCASC
pin low, which
drives the
nCS
pin of the first slave EPC2 or EPC1 device low. This action
causes the slave EPC2 or EPC1 device to send configuration data to the
LUT-based PLDs.
The master EPC2 or EPC1 device clocks all subsequent slave devices until
configuration is complete. Once all configuration data is transferred and
the
nCS
pin on the master EPC2 or EPC1 device is driven high by the LUT-
based PLD’s
CONF_DONE
pin, the master EPC2 or EPC1 device clocks 16
additional cycles to initialize the LUT-based PLD(s). The master EPC2 or
EPC1 device then goes into zero-power (idle) state. If
nCS
on the master
EPC2 or EPC1 device is driven high before all configuration data is
transferred, or if
nCS
is not driven high after all configuration data is
transferred, the master EPC2 or EPC1 device drives the APEX 20K,
Mercury, ACEX 1K, and FLEX device’s
nSTATUS
pin low, indicating a
configuration error.
Configuration automatically restarts if the project is compiled with the
Auto-Restart Configuration on Frame Error
option turned on in the
MAX+PLUS II software’s
Global Project Device
Options
dialog box
(Assign menu).
Figure 5
shows an APEX II, APEX 20K, Mercury, ACEX 1K, FLEX 10K, or
FLEX 6000 device configured with two EPC2 or EPC1 devices. Additional
EPC2 or EPC1 devices can be added by connecting
nCASC
to
nCS
of the
subsequent slave EPC2 or EPC1 device in the chain and connecting
DCLK
,
DATA
, and
OE
in parallel.
1
A mixture of APEX 20K, Mercury, ACEX 1K, FLEX 10K, and
FLEX 6000 devices can be configured in the same chain. A
mixture of FLEX 10K, FLEX 10KA, FLEX 10KE, and 5.0-V and
3.3-V FLEX 6000 devices can be configured in the same chain. See
“Configuration Chain with Multiple Voltage Levels” on page 25
.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EPC4 | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| EPC8 | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| EPC1 | 433800612 |
| EPC1 | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| EPC1064 | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EPC-20 | 制造商:Curtis Industries 功能描述:Conn Barrier Strip 20 POS 9.52mm Solder ST Thru-Hole 15A |
| EPC2001 | 功能描述:TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:eGaN® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| EPC2001C | 功能描述:TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 25A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:900pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具剖面（11 焊条） 标准包装:1 |
| EPC2007 | 功能描述:TRANS 100V 30MO BUMPED DIE RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:eGaN® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| EPC2007C | 功能描述:TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 6A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.2nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:220pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具剖面（5 焊条） 标准包装:1 |
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