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参数资料
| 型号： | EPC2 |
| 厂商： | Altera Corporation |
| 英文描述： | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| 中文描述： | 配置SRAM器件基于LUT的器件 |
| 文件页数： | 8/36页 |
| 文件大小： | 283K |
| 代理商： | EPC2 |
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Altera Corporation
Configuration Devices for SRAM-based LUT Devices Data Sheet
APEX II, APEX 20K, Mercury, ACEX 1K, FLEX 10K & FLEX 6000
Device Configuration
APEX 20K, Mercury, ACEX 1K, and FLEX devices can be configured with
EPC4, EPC8, EPC16, EPC2, EPC1, or EPC1441 devices. FLEX 6000 devices
can be configured with EPC1 or EPC1441 devices. APEX II devices can be
configured with EPC2, EPC4, EPC8, and EPC16 devices. The EPC4, EPC8,
EPC16, EPC2, EPC1, or EPC1441 device stores configuration data in its
EPROM array and serially clocks data out with an internal oscillator. The
OE
,
nCS
, and
DCLK
pins supply the control signals for the address counter
and the output tri-state buffer. The configuration device sends a serial
bitstream of configuration data to its
DATA
pin, which is routed to the
DATA0
or
DATA
input pin on the LUT-based PLD device.
Figure 4
shows
an LUT-based PLD configured with a single EPC2, EPC1, or EPC1441
device.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EPC4 | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| EPC8 | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| EPC1 | 433800612 |
| EPC1 | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| EPC1064 | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EPC-20 | 制造商:Curtis Industries 功能描述:Conn Barrier Strip 20 POS 9.52mm Solder ST Thru-Hole 15A |
| EPC2001 | 功能描述:TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:eGaN® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| EPC2001C | 功能描述:TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 25A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:900pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具剖面（11 焊条） 标准包装:1 |
| EPC2007 | 功能描述:TRANS 100V 30MO BUMPED DIE RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:eGaN® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| EPC2007C | 功能描述:TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 6A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.2nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:220pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具剖面（5 焊条） 标准包装:1 |
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