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参数资料
| 型号： | EPC2 |
| 厂商： | Altera Corporation |
| 英文描述： | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| 中文描述： | 配置SRAM器件基于LUT的器件 |
| 文件页数： | 18/36页 |
| 文件大小： | 283K |
| 代理商： | EPC2 |
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18
Altera Corporation
Configuration Devices for SRAM-based LUT Devices Data Sheet
Table 5
defines the APEX 20K, FLEX 10K, and FLEX 6000 timing
parameters when using EPC1 and EPC1441 devices at 3.3 V.
Notes to
Table 5
:
(1)
For more information regarding EPC4, EPC8, or EPC16 configuration device timing
parameters, see the
Enhanced Configuration Device (EPC4, EPC8 & EPC16) Data Sheet
.
(2)
The configuration device imposes a POR delay upon initial power-up to allow the
voltage supply to stabilize. Subsequent reconfigurations do not incur this delay.
Table 5. APEX 20K, FLEX 10K & FLEX 6000 Timing Parameters using EPC1 &
EPC1441 Devices at 3.3 V
Note (1)
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
t
POR
t
OEZX
t
CH
t
CL
t
DSU
POR delay
(2)
OE
high to
DATA
output enabled
DCLK
high time
DCLK
low time
Data setup time before rising edge on
DCLK
Data hold time after rising edge on
DCLK
DCLK
to
DATA
out
OE
low pulse width to guarantee counter
reset
DCLK
frequency
200
80
250
250
ms
ns
ns
ns
ns
50
50
30
t
DH
t
CO
t
OEW
0
ns
ns
ns
30
100
f
CLK
2
10
MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EPC4 | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| EPC8 | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| EPC1 | 433800612 |
| EPC1 | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| EPC1064 | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EPC-20 | 制造商:Curtis Industries 功能描述:Conn Barrier Strip 20 POS 9.52mm Solder ST Thru-Hole 15A |
| EPC2001 | 功能描述:TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:eGaN® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| EPC2001C | 功能描述:TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 25A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:900pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具剖面（11 焊条） 标准包装:1 |
| EPC2007 | 功能描述:TRANS 100V 30MO BUMPED DIE RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:eGaN® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| EPC2007C | 功能描述:TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 6A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.2nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:220pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具剖面（5 焊条） 标准包装:1 |
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