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参数资料
| 型号： | EPC2 |
| 厂商： | Altera Corporation |
| 英文描述： | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| 中文描述： | 配置SRAM器件基于LUT的器件 |
| 文件页数： | 6/36页 |
| 文件大小： | 283K |
| 代理商： | EPC2 |
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6
Altera Corporation
Configuration Devices for SRAM-based LUT Devices Data Sheet
Figure 3
shows the configuration device block diagram.
Figure 3. Configuration Device Block Diagram
Notes to
Figure 3
:
(1)
Do not use EPC2 devices to configure FLEX 6000 devices.
(2)
The EPC1441, EPC1064, and EPC1064V devices do not support data cascading. The EPC2, EPC1, and EPC1213
devices support data cascading.
(3)
The
OE
pin is a bidirectional open-drain pin.
DCLK
nCS
OE
Decode
Logic
Address
DATA
DATA
Shift
Register
EPROM
Array
nCS
Decode
Logic
Address
Oscillator
Oscillator
Control
EPROM
Array
Shift
Register
DATA
DATA
DCLK
nCASC
nCASC
(2)
(2)
PLD (except FLEX 8000) Configuration Using an EPC2, EPC1, or EPC1441
FLEX 8000 Device Configuration Using an EPC1, EPC1441, EPC1213, EPC1064, or EPC1064V
Address
Counter
CLK
ENA
nRESET
Error
Detection
Circuitry
OE (3)
Address
Counter
CLK
ENA
nRESET
(1)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| EPC2001C | 功能描述:TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 25A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:900pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具剖面（11 焊条） 标准包装:1 |
| EPC2007 | 功能描述:TRANS 100V 30MO BUMPED DIE RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:eGaN® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| EPC2007C | 功能描述:TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 6A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.2nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:220pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具剖面（5 焊条） 标准包装:1 |
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