参数资料
| 型号： | EPC9003 |
| 厂商： | EPC |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD DEV FOR EPC2010 200V GAN |
| 应用说明： | Assembling eGaN® FETS Using eGaN® FETs |
| 设计资源： | EPC9003 Gerber Files EPC9003 Bill of Materials EPC9003 Schematic |
| 特色产品： | EPC Development Tools |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | eGaN® |
| 主要目的： | 电源管理，半 H 桥驱动器（外部 FET） |
| 嵌入式： | 否 |
| 已用 IC / 零件： | EPC2010 |
| 主要属性： | 200V，5A 最大输出 GaNFET 功率 |
| 次要属性： | GaNFET 驱动器电路，采用 7 ~ 12V 电压 |
| 已供物品： | 板 |
| 相关产品： | 917-1016-2-ND - TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE 917-1016-1-ND - TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE |
| 其它名称： | 917-1012 |
DESCRIPTION
The EPC9003 development board is a 200 V maximum device volt-
age, 5 A maximum output current, half bridge with onboard gate
drives, featuring the EPC2010 enhancement mode (eGaN?) field
effect transistor (FET). The purpose of this development board is
to simplify the evaluation process of the EPC2010 eGaN FET by
including all the critical components on a single board that can be
easily connected into any existing converter.
The EPC9003 development board is 2” x 1.5” and contains two
EPC2010 eGaN FET in a half bridge configuration using two
Table 1: Performance Summary (TA = 25°C)
www.epc-co.com
Texas Instruments LM5114 gate drivers as well as supply and
bypass capacitors. The board contains all critical components
and layout for optimal switching performance. There are also vari-
ous probe points to facilitate simple waveform measurement and
efficiency calculation. A complete block diagram of the circuit is
given in Figure 1.
For more information on the EPC2010s eGaN FET please refer to
the datasheet available from EPC at www.epc-co.com. The data-
sheet should be read in conjunction with this quick start guide.
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
MIN
MAX
UNITS
V DD
V IN
V OUT
I OUT
Gate Drive Input Supply Range
Bus Input Voltage Range
Switch Node Output Voltage
Switch Node Output Current
7
12
150
200
5*
V
V
V
A
V PWM
PWM Logic Input Voltage Threshold
Minimum ‘High’ State Input Pulse Width
Minimum ‘Low’ State Input Pulse Width
Input ‘High’
Input ‘Low’
VPWM rise and fall time < 10ns
VPWM rise and fall time < 10ns
3.5
0
60
500 #
6
1.5
V
V
ns
ns
* Assumes inductive load, maximum current depends on die temperature – actual maximum current with be subject to switching frequency, bus voltage and thermals.
# Dependent on time needed to ‘refresh’ high side bootstrap supply voltage.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EPC9003C | 功能描述:EPC2010C eGaN? Series Power Management, Half H-Bridge Driver (External FET) Evaluation Board 制造商:epc 系列:eGaN? 零件状态:有效 主要用途:电源管理，半 H 桥驱动器（外部 FET） 嵌入式:否 使用的 IC/零件:EPC2010C 主要属性:- 辅助属性:- 所含物品:板 标准包装:1 |
| EPC9004 | 功能描述:BOARD DEV FOR EPC2012 200V EGAN RoHS:否 类别:编程器，开发系统 >> 评估演示板和套件 系列:eGaN® 标准包装:1 系列:PSoC® 主要目的:电源管理，热管理 嵌入式:- 已用 IC / 零件:- 主要属性:- 次要属性:- 已供物品:板，CD，电源 |
| EPC9004C | 功能描述:EPC2012C eGaN? Series Power Management, Half H-Bridge Driver (External FET) Evaluation Board 制造商:epc 系列:eGaN? 零件状态:有效 主要用途:电源管理，半 H 桥驱动器（外部 FET） 嵌入式:否 使用的 IC/零件:EPC2012C 主要属性:- 辅助属性:- 所含物品:板 标准包装:1 |
| EPC9005 | 功能描述:BOARD DEV FOR EPC2014 40V EGAN RoHS:是 类别:编程器，开发系统 >> 评估演示板和套件 系列:eGaN® 标准包装:1 系列:- 主要目的:数字电位器 嵌入式:- 已用 IC / 零件:AD5258 主要属性:- 次要属性:- 已供物品:板 相关产品:AD5258BRMZ1-ND - IC POT DGTL I2C1K 64P 10MSOPAD5258BRMZ10-ND - IC POT DGTL I2C 10K 64P 10MSOPAD5258BRMZ100-ND - IC POT DGTL I2C 100K 64P 10MSOPAD5258BRMZ50-ND - IC POT DGTL I2C 50K 64P 10MSOPAD5258BRMZ1-R7-ND - IC POT DGTL I2C 1K 64P 10MSOPAD5258BRMZ10-R7-ND - IC POT DGTL I2C 10K 64P 10MSOPAD5258BRMZ50-R7-ND - IC POT DGTL I2C 50K 64P 10MSOPAD5258BRMZ100-R7-ND - IC POT DGTL I2C 100K 64P 10MSOP |
| EPC9005C | 功能描述:EPC2014C eGaN? Series Power Management, Half H-Bridge Driver (External FET) Evaluation Board 制造商:epc 系列:eGaN? 零件状态:有效 主要用途:电源管理，半 H 桥驱动器（外部 FET） 嵌入式:否 使用的 IC/零件:EPC2014C 主要属性:- 辅助属性:- 所含物品:板 标准包装:1 |
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