参数资料
| 型号： | EPC9003 |
| 厂商： | EPC |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD DEV FOR EPC2010 200V GAN |
| 应用说明： | Assembling eGaN® FETS Using eGaN® FETs |
| 设计资源： | EPC9003 Gerber Files EPC9003 Bill of Materials EPC9003 Schematic |
| 特色产品： | EPC Development Tools |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | eGaN® |
| 主要目的： | 电源管理，半 H 桥驱动器（外部 FET） |
| 嵌入式： | 否 |
| 已用 IC / 零件： | EPC2010 |
| 主要属性： | 200V，5A 最大输出 GaNFET 功率 |
| 次要属性： | GaNFET 驱动器电路，采用 7 ~ 12V 电压 |
| 已供物品： | 板 |
| 相关产品： | 917-1016-2-ND - TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE 917-1016-1-ND - TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE |
| 其它名称： | 917-1012 |
1
2
3
4
5
6
7 - 12 Vdc
A
J1
1
2
CON2
C10
1uF, 25V
8
7
6
5
U3
IN
NC
NC
NC
OUT
NC
NC
GND
1
2
3
4
C4
1uF, 25V
C11
1uF, 25V
VCC
A
D5OPT
MCP1703
U13
EN
IN
C18
OPT
NC
D3
BAV21
GND
OUT
B
OPT
TP2
Keystone 5015
J5
CON4
B
VDD
Y
J2
1
2
CON2
J9
1
2
CON2
R1
10k
1
2
3
U1
A
B
GND
NC7SZ00L6X
6
5 5
4
R2
Zero
U4
A
VDD
V CC
C2
1uF, 25V
P1
2
Optional
C6
100p
U2
SS8410BB
6
5
U6
LM5114MF
UVLO
VDD
VSS
1
2
3
4
C12
1uF, 25V
R11 1
Q1
EPC2010
J3
CON4
J6
CON4
150V Max
D1
C16
C17
C
PWM2
R15
Zero
R14
Optional
B
GND
NC7SZ08L6X
P2
Optional
Y
2
D2
SDM03U40
R5
390
C7
100p
SDM03U40
R4
Zero
C3
1uF, 25V
R3 Zero
U5
Optional
6
5
U7
LM5114MF
UVLO
VDD
VSS
1
2
3
4
VCC
C13
1uF, 25V
R12 1
SW OUT
J4
CON4
Q2
EPC2010
0.33uF, 250V
Optional
C15
R13
Optional
0.33uF, 250V
(Optional)
TP3
1
CON1
J7
CON4
GND
C
TP1
Keystone 5015
J8
CON4
D
D
200V Half-Bridge with Gate Drive, using EPC2010
Rev 2.0
1
2
3
4
5
6
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