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参数资料
| 型号： | ES29BDS400DB-70TGI |
| 厂商： | 优先(苏州)半导体有限公司 |
| 英文描述： | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 的4Mb（512Kx 8/256K × 16），3.0伏的CMOS只，引导扇区闪存 |
| 文件页数： | 24/51页 |
| 文件大小： | 697K |
| 代理商： | ES29BDS400DB-70TGI |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页当前第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页
ES I
30
Rev.0B January 5, 2006
ES29LV400E
Excel Semiconductor inc.
CE#,OE#
RESET#
RY/BY#
0V
tREADY
tRP
tRH
CE#,OE#
RESET#
RY/BY#
tREADY
tRP
tRB
Figure 17. Reset Timings
(B) During Embedded Algorithm
(A) Not During Embedded Algorithm
AC CHARACTERISTICS
Table 10. Hardware Reset ( RESET #)
Parameter
Description
All Speed Options
Unit
JEDEC Std.
tReady
RESET# Pin Low (During Embedded Algorithms) to Read Mode
(See Note)
Max
20
us
tReady
RESET# Pin Low (Not During Embedded Algorithms) to Read
Mode (See Note)
Max
500
ns
tRP
RESET# Pulse Width
Min
500
ns
tRH
RESET High Time Before Read (See Note)
Min
50
ns
tRPD
RESET# Low to Standby Mode
Min
20
us
tRB
RY/BY# Recovery Time
Min
0
ns
Note : Not 100% tested
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PDF描述 |
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参数描述 |
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