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参数资料
| 型号： | FCA36N60NF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PN |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | SupreMOS®, FRFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 34.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 95 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 112nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4245pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 312W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
200
100
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.0 V
200
100
150 C
25 C
10
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
10
o
o
2. T C = 25 C
-55 C
o
1
o
*Notes:
1. V DS = 20V
1
0.1
1
V DS , Drain-Source Voltage[V]
10
20
0.2
2
2. 250 μ s Pulse Test
4 6 8
V GS , Gate-Source Voltage[V]
10
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
150
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
200
100
125
150 C
25 C
100
V GS = 10V
10
o
o
V GS = 20V
75
1
*Notes:
*Notes: T C = 25 C
50
0
18
36 54 72 90
o
108
0.2
0.2
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
100000
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
10000
C iss
8
V DS = 120V
V DS = 300V
1000
C oss
6
V DS = 480V
100
*Notes:
1. V GS = 0V
4
10
2. f = 1MHz
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
C rss
2
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
1
0.1
1 10 100
600
0
0
*Notes: I D = 18A
20 40 60 80
100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FCA36N60NF Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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