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参数资料
| 型号： | FCA47N60_F109 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 47A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | SuperFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 47A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 23.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 270nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 417W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FCA47N60_F109-ND FCA47N60_F109FS |
Typical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Top :
V GS
15.0 V
10
10
10
10
2
1
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
2
1
150 ℃
25 ℃
-55 ℃
10
10
0
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
0
※ Note
1. V DS = 40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
-1
0
1
2
4
6
8
10
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.20
0.15
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
2
10
V GS = 10V
0.10
1
V GS = 20V
150 ℃
25 ℃
0.05
※ Notes :
10
※ Note : T J = 25 ℃
0
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.00
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
30000
V SD , Source-Drain Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
12
25000
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
10
V DS = 100V
V DS = 250V
V DS = 400V
20000
15000
C oss
※ Notes :
8
6
10000
5000
C iss
C rss
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
※ Note : I D = 47A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
50
100
150
200
250
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FCA47N60 / FCA47N60_F109 Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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