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参数资料
| 型号： | FCB20N60FTM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SuperFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 190 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 98nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3080pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 208W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FCB20N60FTMDKR |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
10
2
V GS
10
Top :
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
2
10
1
6.0 V
Bottom : 5.5 V
10
150 C
25 C
1
o
o
10
2. T C = 25 C
10
-55 C
0
* Notes :
1. 250 ? s Pulse Test
o
0
o
* Note:
1. V DS = 40V
2. 250 ? s Pulse Test
10
10
10
-1
0
1
2
4
6
8
10
10
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.4
0.3
V GS = 10V
0.2
V GS = 20V
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
2
1
10
150 C
25 C
0.1
0
o
o
* Notes :
1. V GS = 0V
* Note : T J = 25 C
o
2. 250 ? s Pulse Test
0.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Source-Drain Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10000
9000
8000
7000
6000
5000
C oss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
* Notes :
12
10
8
6
V DS = 100V
V DS = 250V
V DS = 400V
4000
3000
2000
1000
C iss
C rss
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
* Note : I D = 20A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FCB20N60F Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FCB20N60TM | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK |
| FCB36N60NTM | MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK |
| FCD4N60TM_WS | MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK |
| FCD5N60TF | MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK |
| FCD7N60TF | MOSFET N-CH 600V 7A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FCB20N60TM | 功能描述:MOSFET HIGH_POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FCB20R22 | 制造商:TE Connectivity 功能描述:RESISTOR 2W 5% 0R22 |
| FCB20R47 | 制造商:TE Connectivity 功能描述:RESISTOR 2W 5% 0R47 |
| FCB2100R | 制造商:TE Connectivity 功能描述:RESISTOR 2W 5% 100R |
| FCB2100RJ | 功能描述:线绕电阻器 - 透孔 FCB2 100R 5% HP RoHS:否 制造商:Bourns 电阻:10 Ohms 容差:5 % 功率额定值:7 W 温度系数:200 PPM / C 系列:FW 端接类型:Axial 工作温度范围:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封装:Ammo 产品:Power Resistors Wirewound High Energy |
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