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参数资料
| 型号： | FCB20N60FTM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SuperFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 190 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 98nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3080pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 208W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FCB20N60FTMDKR |
Figure 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
+
V DS
_
I SD
L
Driver
D = --------------------------
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
V GS
R G
Same Type
as DUT
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by pulse period
Gate Pulse Width
Gate Pulse Period
I FM , Body Diode Forward Current
di/dt
V DD
10V
I RM
Body Diode Reverse Current
V DS
( DUT )
Body Diode Recovery dv/dt
V SD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V DD
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FCB20N60F Rev. C1
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FCB20N60TM | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK |
| FCB36N60NTM | MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK |
| FCD4N60TM_WS | MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK |
| FCD5N60TF | MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK |
| FCD7N60TF | MOSFET N-CH 600V 7A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FCB20N60TM | 功能描述:MOSFET HIGH_POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FCB20R22 | 制造商:TE Connectivity 功能描述:RESISTOR 2W 5% 0R22 |
| FCB20R47 | 制造商:TE Connectivity 功能描述:RESISTOR 2W 5% 0R47 |
| FCB2100R | 制造商:TE Connectivity 功能描述:RESISTOR 2W 5% 100R |
| FCB2100RJ | 功能描述:线绕电阻器 - 透孔 FCB2 100R 5% HP RoHS:否 制造商:Bourns 电阻:10 Ohms 容差:5 % 功率额定值:7 W 温度系数:200 PPM / C 系列:FW 端接类型:Axial 工作温度范围:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封装:Ammo 产品:Power Resistors Wirewound High Energy |
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