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参数资料
| 型号： | FCB36N60NTM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SupreMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 112nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4785pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 312W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FCB36N60NTMDKR |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
100
V GS = 15.0 V
Figure 2. Transfer Characteristics
1000
150 C
25 C
-55 C
10
1
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
100
10
o
o
o
2. T C = 25 C
0.1
0.1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
1 10
V DS , Drain-Source Voltage[V]
100
1
0.3
2
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
3 4 5 6
V GS , Gate-Source Voltage[V]
7
150 C
25 C
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.3
0.2
V GS = 10V
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
300
100
o
o
10
0.1
V GS = 20V
*Notes:
1. V GS = 0V
*Notes: T C = 25 C
0
0
20
40 60
80 100
o
1
0.4
2. 250 μ s Pulse Test
0.6 0.8 1.0
1.2
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
100000
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
V DS = 120V
10000
1000
C iss
8
6
V DS = 300V
V DS = 480V
C oss
100
*Notes:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
4
10
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
C rss
2
1
0.1
Crss = Cgd
1 10 100
600
0
0
*Notes: I D = 18A
25 50 75
100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FCB36N60N Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FCD4N60TM_WS | MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK |
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| FCD7N60TF | MOSFET N-CH 600V 7A DPAK |
| FCD9N60NTM | MOSFET N-CH 600V 9A DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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