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参数资料
| 型号： | FCH47N60N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-247 Pkg |
| 标准包装： | 150 |
| 系列： | SupreMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 47A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 62 毫欧 @ 23.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 151nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6700pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 368W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
300
V GS = 15V
10V
Figure 2. Transfer Characteristics
500
100
8V
150 C
6V
5V
100
o
25 C
-55 C
10
10
o
o
2. T C = 25 C
1
0.1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
1 10
30
1
2
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
4 6
8
V DS , Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
140
120
V GS , Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
400
100
150 C
o
100
25 C
80
60
V GS = 10V
V GS = 20V
10
o
*Notes:
*Note: T C = 25 C
40
0
40 80 120
o
160
1
0.4
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.6 0.8 1.0 1.2
1.4
10
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
5
C oss
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
10
4
8
V DS = 120V
V DS = 300V
10
3
C iss
C rss
6
V DS = 480V
10
2
*Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
4
10 C iss = C gs + C gd ( C ds = shorted )
2
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
1
0.1 1 10 100
600
0
0
*Note: I D = 23.5A
30 60 90
120
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FCH47N60N Rev. C4
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FCH76N60NF | MOSFET N-CH 600V 72.8A TO247-3 |
| FCH76N60N | MOSFET N-CH 600V 76A TO-247 |
| FCI25N60N | MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK |
| FCI7N60 | MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK |
| FCLF8522P2BTL | COPPER SFP TXRX 1.25GB/S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FCH47N60N_1112 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET |
| FCH47N60NF | 功能描述:MOSFET 600V N-Chan MOSFET FRFET, SupreMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FCH76N60N | 功能描述:MOSFET 600V N-Chan MOSFET SupreMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FCH76N60N_1112 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET |
| FCH76N60NF | 功能描述:MOSFET 600V N-Chan MOSFET FRFET, SupreMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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