- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录413 > FCH47N60N (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FCH47N60N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-247 Pkg |
| 标准包装： | 150 |
| 系列： | SupreMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 47A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 62 毫欧 @ 23.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 151nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6700pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 368W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247-3 |
| 包装： | 管件 |
DUT
+
V DS
_
I SD
L
Driver
D = --------------------------
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
V GS
R G
Same Type
as DUT
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by pulse period
Gate Pulse Width
Gate Pulse Period
I FM , Body Diode Forward Current
di/dt
V DD
10V
I RM
Body Diode Reverse Current
V DS
( DUT )
Body Diode Recovery dv/dt
V SD
V DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
Figure 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FCH47N60N Rev. C4
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FCH76N60NF | MOSFET N-CH 600V 72.8A TO247-3 |
| FCH76N60N | MOSFET N-CH 600V 76A TO-247 |
| FCI25N60N | MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK |
| FCI7N60 | MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK |
| FCLF8522P2BTL | COPPER SFP TXRX 1.25GB/S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FCH47N60N_1112 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET |
| FCH47N60NF | 功能描述:MOSFET 600V N-Chan MOSFET FRFET, SupreMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FCH76N60N | 功能描述:MOSFET 600V N-Chan MOSFET SupreMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FCH76N60N_1112 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET |
| FCH76N60NF | 功能描述:MOSFET 600V N-Chan MOSFET FRFET, SupreMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。