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参数资料
| 型号： | FCH76N60NF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 72.8A TO247-3 |
| 标准包装： | 150 |
| 系列： | SupreMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 72.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 38 毫欧 @ 38A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 300nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 11045pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 543W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
DUT
+
V DS
_
I SD
L
Driver
D = --------------------------
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
V GS
R G
Same Type
as DUT
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by pulse period
Gate Pulse Width
Gate Pulse Period
I FM , Body Diode Forward Current
di/dt
V DD
10V
I RM
Body Diode Reverse Current
V DS
( DUT )
Body Diode Recovery dv/dt
V SD
V DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
Figure 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FCH76N60NF Rev. C1
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FCH76N60N | MOSFET N-CH 600V 76A TO-247 |
| FCI25N60N | MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK |
| FCI7N60 | MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK |
| FCLF8522P2BTL | COPPER SFP TXRX 1.25GB/S |
| FCN10785_LE1-REC | LENS FOR LEDENGIN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FCHC10-100K-RC | 制造商:ALLIED 制造商全称:Allied Components International 功能描述:Ferrite Core Chip Inductors High Current |
| FCHC10-150K-RC | 制造商:ALLIED 制造商全称:Allied Components International 功能描述:Ferrite Core Chip Inductors High Current |
| FCHC10-1R0K-RC | 制造商:ALLIED 制造商全称:Allied Components International 功能描述:Ferrite Core Chip Inductors High Current |
| FCHC10-1R2K-RC | 制造商:ALLIED 制造商全称:Allied Components International 功能描述:Ferrite Core Chip Inductors High Current |
| FCHC10-1R5K-RC | 制造商:ALLIED 制造商全称:Allied Components International 功能描述:Ferrite Core Chip Inductors High Current |
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