- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录413 > FCI25N60N (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FCI25N60N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | SupreMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 12.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 74nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3352pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 216W |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
Typical Performance Characteristics
25 C
Figure 1. On-Region Characteristics
100
V GS = 15V
10V
8V
6V
4V
10
Figure 2. Transfer Characteristics
100
o
10
150 C
-55 C
o
o
2. T C = 25 C
1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
0.3
0.05 0.1
1 10
30
1
2
4 6
8
V DS , Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
350
V GS , Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
100
150 C
300
o
250
10
25 C
200
150
V GS = 10V
V GS = 20V
o
*Notes:
*Note: T C = 25 C
100
0
20 40 60
o
80
1
0.4
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.6 0.8 1.0
1.2
10
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
5
C oss
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
10
4
8
V DS = 120V
V DS = 300V
10
3
C iss
C rss
6
V DS = 480V
10
10
2
1
*Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
C iss = C gs + C gd ( C ds = shorted )
4
2
C rss = C gd
10
C oss = C ds + C gd
0
0.1 1 10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
600
0
0
10
*Note: I D = 12.5A
20 30 40 50
Q g , Total Gate Charge [nC]
60
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FCI25N60N Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FCI7N60 | MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK |
| FCLF8522P2BTL | COPPER SFP TXRX 1.25GB/S |
| FCN10785_LE1-REC | LENS FOR LEDENGIN |
| FCN10890_LR1-W | LENS FOR LUXEON REBEL |
| FCN11107_LD1-O-90 | LENS FOR OSRAM OS DIAMOND DRAGON |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FCI25N60N_F102 | 功能描述:MOSFET 600V N-CHAN SupreMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FCI25N60NF102 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel SupreMOS?? MOSFET 600 V, 25 A, 125 m?? |
| FCI7N60 | 功能描述:MOSFET HIGH_POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FCI-BP | 制造商:TURCK Inc 功能描述:FCI-BP |
| FCI-CR-D4B | 制造商:GAMEWELL-FCI 制造商全称:GAMEWELL-FCI 功能描述:Door, lock & key |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。