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参数资料
| 型号： | FCI25N60N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | SupreMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 12.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 74nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3352pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 216W |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.9
0.8
-100
*Notes:
1. V GS = 0V
2. I D = 1mA
-50 0 50 100 150
o
200
0.5
0.0
-100
*Notes:
1. V GS = 10V
2. I D = 12.5A
-50 0 50 100 150 200
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
100
10
1
0.1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
*Notes:
o
o
DC
1ms
100 μ s
10ms
10 μ s
30
25
20
15
10
5
T C , Case Temperature [ C ]
0.01
1
3. Single Pulse
10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
1000
0
25
50 75 100 125
o
150
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
P DM
0.01
0.02
0.01
*Notes:
t 1
t 2
1. Z θ JC (t) = 0.58 C/W Max.
Single pulse
o
2. Duty Factor, D = t 1 /t 2
1E-3
10
10
10
10
10
10
10
0.001
-5
-4
-3
-2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
-1 0
1
t 1 , Rectangular Pulse Duration [sec]
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FCI25N60N Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FCI7N60 | MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK |
| FCLF8522P2BTL | COPPER SFP TXRX 1.25GB/S |
| FCN10785_LE1-REC | LENS FOR LEDENGIN |
| FCN10890_LR1-W | LENS FOR LUXEON REBEL |
| FCN11107_LD1-O-90 | LENS FOR OSRAM OS DIAMOND DRAGON |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FCI25N60N_F102 | 功能描述:MOSFET 600V N-CHAN SupreMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FCI25N60NF102 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel SupreMOS?? MOSFET 600 V, 25 A, 125 m?? |
| FCI7N60 | 功能描述:MOSFET HIGH_POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FCI-BP | 制造商:TURCK Inc 功能描述:FCI-BP |
| FCI-CR-D4B | 制造商:GAMEWELL-FCI 制造商全称:GAMEWELL-FCI 功能描述:Door, lock & key |
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