参数资料
型号: FCP190N60
厂商: Fairchild Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V TO-220-3
标准包装: 50
系列: superfetII™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 20.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 199 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 74nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2950pF @ 25V
功率 - 最大: 208W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220
包装: 管件
DUT
+
V DS
_
I SD
L
Driver
D = --------------------------
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
V GS
R G
Same Type
as DUT
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by pulse period
Gate Pulse Width
Gate Pulse Period
I FM , Body Diode Forward Current
di/dt
V DD
10V
I RM
Body Diode Reverse Current
V DS
( DUT )
Body Diode Recovery dv/dt
V SD
V DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
Figure 18. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FCP190N60 / FCPF190N60 Rev. C16
7
www.fairchildsemi.com
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