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参数资料
| 型号： | FCP190N60 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | superfetII™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 199 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 74nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2950pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 208W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Mechanical Dimensions
Figure 19. TO-220, Molded, 3-Lead, Jedec Variation AB
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?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FCP190N60 / FCPF190N60 Rev. C16
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www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FCP25N60N | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 |
| FCP36N60N | MOSFET N-CH 600V 36A TO-220-3 |
| FCP380N60 | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 |
| FCP4N60 | MOSFET N-CH 600V 3.9A TO-220 |
| FCP9N60N | MOSFET N-CH 600V 9A TO220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FCP190N60_13 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel SuperFET II MOSFET |
| FCP190N60_GF102 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 600V TO-220-3 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RAIL / SuperFET2, 190mohm, TO220, F102 Opt, Green EMC |
| FCP190N60E | 功能描述:MOSFET 600V N-CHAN MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FCP1913H104G | 功能描述:薄膜电容器 .10uF 50V 2% RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 产品类型: 电介质:Polyester 电容:0.047 uF 容差:10 % 电压额定值:100 V 系列:225P 工作温度范围:- 55 C to + 85 C 端接类型:Radial 引线间隔:9.5 mm |
| FCP1913H104G-E2 | 功能描述:薄膜电容器 0.1uF 50Volts RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 产品类型: 电介质:Polyester 电容:0.047 uF 容差:10 % 电压额定值:100 V 系列:225P 工作温度范围:- 55 C to + 85 C 端接类型:Radial 引线间隔:9.5 mm |
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