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参数资料
| 型号： | FCPF16N60NT |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | SupreMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 199 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 52.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2170pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 35.7W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FCPF16N60NT-ND FCPF16N60NTFS |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
*Notes:
1. V GS = 0V
0.5
*Notes:
1. V GS = 10V
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.8
-100
2. I D = 1mA
-50 0 50 100 150 200
o
0.0
-100
2. I D = 8A
-50 0 50 100 150
o
200
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
for FCP16N60N
100
20 μ s
Figure 10. Maximum Safe Operating Area
for FCPF16N60NT
100
20 μ s
10
100 μ s
1ms
10
1ms
100 μ s
1
Operation in This Area
DC
10ms
1
DC
Operation in This Area
10ms
is Limited by R DS(on)
is Limited by R DS(on)
1. T C = 25 C
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
2. T J = 150 C
0.1
*Notes:
o
o
0.1
*Notes:
o
o
0.01
1
3. Single Pulse
10 100
1000
0.01
1
3. Single Pulse
10 100
1000
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 11. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
20
15
10
5
V DS , Drain-Source Voltage [V]
T C , Case Temperature [ C ]
0
25
50 75 100 125
o
150
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FCP16N60N / FCPF16N60NT Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FCPF16N60 | MOSFET N-CH 600V 16A TO-220F |
| FCPF190N60 | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 |
| FCPF20N60T | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F |
| FCPF22N60NT | MOSFET N-CH 600V 22A TO-220F |
| FCPF380N60 | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FCPF190N60 | 功能描述:MOSFET SuperFET2, 190mohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FCPF190N60_F152 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20.2A TO-220F |
| FCPF190N60E | 功能描述:MOSFET 600V N-CHAN MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FCPF190N60E_F152 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 600V TO-220-3 |
| FCPF20N60 | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel SuperFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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