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参数资料
型号： FCPF16N60NT
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 6/10页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 600V TO-220-3
标准包装： 50
系列： SupreMOS™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 16A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 199 毫欧 @ 8A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 52.3nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 2170pF @ 100V
功率 - 最大： 35.7W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3 整包
供应商设备封装： TO-220-3
包装： 管件
其它名称： FCPF16N60NT-ND
FCPF16N60NTFS
I G = const .
Figure 14. Gate Charge Test Circuit & Waveform
GS
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Figure 15. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
V GS
Figure 16. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FCP16N60N / FCPF16N60NT Rev. C1
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料
PDF描述
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FCPF190N60 MOSFET N-CH 600V TO-220-3
FCPF20N60T MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F
FCPF22N60NT MOSFET N-CH 600V 22A TO-220F
FCPF380N60 MOSFET N-CH 600V TO-220-3
相关代理商/技术参数
参数描述
FCPF190N60 功能描述:MOSFET SuperFET2, 190mohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FCPF190N60_F152 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20.2A TO-220F
FCPF190N60E 功能描述:MOSFET 600V N-CHAN MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FCPF190N60E_F152 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 600V TO-220-3
FCPF20N60 功能描述:MOSFET 600V N-Channel SuperFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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