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参数资料
| 型号： | FCPF190N60 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | SuperFETII® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 199 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 74nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2950pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 39W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 13. Transient Thermal Response Curve for FCP190N60
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
P DM
*Notes:
t 1
t 2
10
10
10
10
1. Z θ JC (t) = 0.6 C/W Max.
10
0.01
0.02
0.01
Single pulse
-5
-4
-3
-2
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
-1
1
t 1 , Rectangular Pulse Duration [sec]
Rectangular Pulse Duration [sec]
Figure 14. Transient Thermal Response Curve for FCPF190N60
5
0.5
1
0.2
0.1
P DM
1. Z θ JC (t) = 3.2 C/W Max.
0.1
0.05
0.02
0.01
Single pulse
t 1
t 2
*Notes:
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
10
10
10
10
10
1
10
0.01
-5
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
-4
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
-3 -2 -1
1 ,
Rectangular Pulse Duration [sec]
5
100
www.fairchildsemi.com
FCP190N60 / FCPF190N60 Rev. C16
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FCPF20N60T | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F |
| FCPF22N60NT | MOSFET N-CH 600V 22A TO-220F |
| FCPF380N60 | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 |
| FCPF400N60 | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 |
| FCPF7N60NT | MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FCPF190N60_F152 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20.2A TO-220F |
| FCPF190N60E | 功能描述:MOSFET 600V N-CHAN MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FCPF190N60E_F152 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 600V TO-220-3 |
| FCPF20N60 | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel SuperFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FCPF20N60FS | 功能描述:MOSFET 600V NH MOSFET FRFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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