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参数资料
| 型号： | FDA38N30 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V TO-3 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 38A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 19A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 312W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS
Figure 2. Transfer Characteristics
10
10
2
Top :
15.0 V
10.0 V
2
10
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
1
10
150 C
25 C
1
o
o
10
2. T C = 25 C
-55 C
0
* Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
o
* Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
0
2
4
6
8
10
12
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.13
0.12
0.11
0.10
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
2
10
150 C
25 C
0.09
0.08
0.07
V GS = 10V
V GS = 20V
1
o
o
* Notes:
0.06
* Note : T J = 25
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.05
0
25
50
75
100
125
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
6000
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
12
C oss
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
10
V DS = 60V
V DS = 150V
4000
C iss
8
V DS = 240V
6
2000
C rss
* Note ;
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
10
10
10
0
-1
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
0
0
10
20 30 40
Q G , Total Gate Charge [nC]
? Note : I D = 38A
50 60
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA38N30 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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