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参数资料
| 型号： | FDA38N30 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V TO-3 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 38A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 19A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 312W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.8
-100
*Notes:
1. V GS = 0V
2. I D = 250uA
-50 0 50 100 150
o
0.5
0.0
-100
*Notes:
1. V GS = 10V
2. I D = 19A
-50 0 50 100 150
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
1000
10 μ s
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
40
100
100 μ s
1ms
30
10
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
DC
10ms
20
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
0.1
*Notes:
o
o
10
T C , Case Temperature [ C ]
0.01
1
3. Single Pulse
10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
500
0
25
50 75 100 125
o
150
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
0.5
0.1
0.2
0.1
P DM
0.05
0.02
*Notes:
t 1
t 2
1. Z θ JC (t) = 0.4 C/W Max.
0.01
0.01
Single pulse
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
10
10
10
10
10
10
10
10
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
1 ,
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA38N30 Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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