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参数资料
| 型号： | FDB024N06 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.4 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 226nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 14885pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 395W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB024N06DKR |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
700
V GS = 15.0 V
1000
*Notes:
175 C
25 C
-55 C
100
10
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
100
10
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
o
o
o
2. T C = 25 C
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
1
0.01
0.1
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
1
1
2
3
4 5 6
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
7
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
3.0
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
500
175 C
2.5
V GS = 10V
100
o
25 C
*Note: T C = 25 C
2.0
1.5
V GS = 20V
o
10
o
*Notes:
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
1.0
0
100 200 300
400
1
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
16000
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
12000
8000
4000
C iss
C oss
C rss
*Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
8
6
4
2
V DS = 15V
V DS = 30V
V DS = 48V
*Note: I D = 75A
0
0.1
1 10
60
0
0
40 80 120 160
200
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB024N06 Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB029N06 | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
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| FDB035AN06A0 | MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB |
| FDB035N10A | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK |
| FDB039N06 | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB024N08BL7 | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB029N06 | 功能描述:MOSFET NCH 60V 2.9Mohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB031N08 | 功能描述:MOSFET 75V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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