- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录414 > FDB045AN08A0_F085 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDB045AN08A0_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 138nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 310W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263-2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDB045AN08A0_F085DKR |
Typical Characteristics T C = 25°C unless otherwise noted
1.2
V GS = V DS , I D = 250 P A
1.15
I D = 250 P A
1.10
1.0
1.05
0.8
1.00
0.6
0.95
0.4
0.90
-80
-40
0 40 80 120 160
200
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
10000
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
10
V DD = 40V
C ISS
C GS + C GD
8
C OSS # C DS + C GD
6
1000
C RSS
C GD
4
2
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
I D = 80A
100
V GS = 0V, f = 1MHz
0
I D = 10A
0.1
1 10
75
0
25
50
75
100
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
FDB045AN08A0_F085 Rev. A
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB045AN08A0 | MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK |
| FDB047N10 | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK |
| FDB075N15A | MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK |
| FDB082N15A | MOSFET N CH 150V 105A D2PAK |
| FDB088N08 | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB047N10 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB047N10_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 100V, 164A, 4.7mW |
| FDB047N10-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDB047N10 Series 100 V 4.7 mOhms N-Channel PowerTrench Mosfet - D2PAK-3 |
| FDB050AN06A0 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB050AN06A0_SN00269 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:60V,80A,5MOHM,D2PAK |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。