- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录414 > FDB075N15A (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDB075N15A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 130A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7350pF @ 75V |
| 功率 - 最大： | 333W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | FDB075N15A-ND FDB075N15ATR |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.10
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.05
2.0
1.00
1.5
1.0
0.95
*Notes:
1. V GS = 0V
0.5
*Notes:
1. V GS = 10V
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.90
-100
2. I D = 250 μ A
-50 0 50 100 150 200
o
0.0
-100
2. I D = 100A
-50 0 50 100 150
o
200
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
1000
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
140
V GS = 10V
100
100 μ s
120
100
10
Operation in This Area
1ms
10ms
80
Limited by package
1
is Limited by R DS(on)
100ms
60
DC
*Notes:
40
1. T C = 25 C
2. T J = 175 C
R θ JC = 0.45 C/W
0.1
o
o
20
o
T C , Case Temperature [ C ]
0.01
0.1
3. Single Pulse
1 10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
300
0
25
50 75 100 125 150
o
175
Figure 11. Eoss vs. Drain to Source Voltage
Figure 12. Unclamped Inductive
Switching Capability
Starting T J = 25 C
Starting T J = 150 C
7
6
5
4
3
2
1
50
10
If R = 0
t AV = (L) ( I AS ) / ( 1.3*Rated BV DSS -V DD )
If R = 0
t AV = (L/R)In [( I AS *R ) / ( 1.3*Rated BV DSS -V DD ) +1 ]
o
o
0
0
25 50 75 100 125
V DS , Drain to Source Voltage [ V ]
150
1
0.01
0.1 1 10 100
t AV , Time In Avalanche [ms]
500
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP075N15A / FDB075N15A Rev. C4
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB082N15A | MOSFET N CH 150V 105A D2PAK |
| FDB088N08 | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK |
| FDB110N15A | MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK |
| FDB120N10 | MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK |
| FDB12N50FTM_WS | MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB075N15A_F085 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDB082N15A | 功能描述:MOSFET 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB088N08 | 功能描述:MOSFET NCH 75V 8.8Mohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB-1 | 功能描述:化学物质 2OZ POLY BOTTLE 10/ RoHS:否 制造商:3M Electronic Specialty 产品:Adhesives 类型:Epoxy Compound 大小:1.7 oz 外壳:Plastic Tube |
| FDB101 | 制造商:BILIN 制造商全称:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:SILICON BRIDGE RECTIFIERS |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。