参数资料
型号: FDB075N15A
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 5/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
标准包装: 800
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 130A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7.5 毫欧 @ 100A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 7350pF @ 75V
功率 - 最大: 333W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: TO-263(D2Pak)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: FDB075N15A-ND
FDB075N15ATR
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 13. Transient Thermal Response Curve
1
0.5
0.1
0.2
0.01
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
*Notes:
t 1
t 2
1. Z θ JC (t) = 0.45 C/W Max.
Single pulse
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
10
10
10
10
10
0.001
-5
-4
-3
-2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
-1
1
t 1 , Rectangular Pulse Duration [sec]
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP075N15A / FDB075N15A Rev. C4
5
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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