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参数资料
| 型号： | FDB14N30TM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 290 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1060pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 140W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB14N30TMDKR |
November 2013
FDB14N30
N-Channel UniFET TM MOSFET
300 V, 14 A, 290 m ?
Features
? R DS(on) = 290 m ? (Max.) @ V GS = 10 V, I D = 7 A
? Low Gate Charge (Typ. 18 nC)
? Low C rss (Typ.17 pF)
? 100% Avalanche Tested
? Improved dv/dt Capability
Applications
Description
UniFET TM MOSFET is Fairchild Semiconductor ’s high voltage
MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology.
This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to
provide better switching performance and higher avalanche
energy strength. This device family is suitable for switching
power converter applications such as power factor correction
(PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic
lamp ballasts.
? Lighting
? Uninterruptible Power Supply
? AC-DC Power Supply
D
D
G
S
D 2 -PAK
G
Absolute Maximum Ratings T C = 25 o C unless otherwise noted.
S
Symbol
V DSS
Drain-Source Voltage
Parameter
FDB14N30TM
300
Unit
V
I D
Drain Current
- Continuous (T C = 25 ? C)
- Continuous (T C = 100 ? C)
14
8.4
A
A
I DM
V GSS
Drain Current
Gate-Source voltage
- Pulsed
(Note 1)
56
? 30
A
V
E AS
I AR
E AR
dv/dt
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 2)
(Note 1)
(Note 1)
(Note 3)
330
14
14
4.5
mJ
A
mJ
V/ns
P D
Power Dissipation
(T C = 25 ? C)
- Derate above 25 ? C
140
1.12
W
W/ ? C
T J, T STG
T L
Operating and Storage Temperature Range
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,
1/8” from Case for 5 Seconds
-55 to +150
300
? C
? C
Thermal Characteristics
Symbol
R ? JC
Parameter
Thermal Resistance, Junction to Case, Max
FDB14N30TM
0.87
Unit
R ? JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient (minimum pad of 2 oz copper), Max.
Thermal Resistance, Junction to Ambient (1 in 2 pad of 2 oz copper), Max.
62.5
40
o
C/W
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB14N30 Rev. C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB150N10 | MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK |
| FDB15N50 | MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB |
| FDB2532_F085 | MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK |
| FDB2614 | MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK |
| FDB2710 | MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB150N10 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB15N50 | 功能描述:MOSFET 15A 500V 0.38 Ohm N-Ch SMPS Pwr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB15N50 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET 500V 15A TO-263 |
| FDB15N50_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDB-15PF | 制造商:HRS 制造商全称:HRS 功能描述:FD TYPE CONNECTOR FOR RIBBON CABLE |
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