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参数资料
| 型号： | FDB14N30TM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 290 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1060pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 140W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB14N30TMDKR |
Typical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
10
2
Top :
V GS
15.0 V
10
2
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
10
1
6.0 V
Bottom : 5.5 V
150 C
10
1
o
10
25 C
-55 C
0
o
o
* Notes :
10
2. T C = 25 C
-1
* Notes :
1. 250 ? s Pulse Test
o
10
0
2
4
6
8
1. V DS = 40V
2. 250 ? s Pulse Test
10
12
10
10
10
-1
0
1
V GS , Gate-Source Voltage [V]
V DS , Drain-Source Voltage [V]
10
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
1.3
1.2
1.1
1.0
2
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
10
0.9
0.8
0.7
0.6
V GS = 10V
1
* Note : T J = 25 C
25 C
0.5
0.4
0.3
0.2
V GS = 20V
o
150 o C
o
* Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 ? s Pulse Test
10
0.1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
2000
C oss
C iss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
8
V DS = 60V
V DS = 150V
V DS = 240V
1000
* Note :
6
4
C rss
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
2
* Note : I D = 14A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB14N30 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB150N10 | MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK |
| FDB15N50 | MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB |
| FDB2532_F085 | MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK |
| FDB2614 | MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK |
| FDB2710 | MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB150N10 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB15N50 | 功能描述:MOSFET 15A 500V 0.38 Ohm N-Ch SMPS Pwr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB15N50 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET 500V 15A TO-263 |
| FDB15N50_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDB-15PF | 制造商:HRS 制造商全称:HRS 功能描述:FD TYPE CONNECTOR FOR RIBBON CABLE |
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