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参数资料
| 型号： | FDB2710 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 42.5 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 101nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7280pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 260W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB2710DKR |
November 2013
FD B 2710
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
250 V, 5 0 A, 42.5 m ?
Features
? R DS(on) = 36.3 m Ω ( Typ.)@ V GS = 10 V, I D = 25 A
? High Performance Trench T echnology for Extremely Low
R DS(on)
? Low Gate Charge
? High Power and Current Handing Capability
General Description
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild
Semiconductor’s PowerTrench ? process that has been tailored
to minimize the on-state resistance while maintaining superior
switching performance.
Applications
? Synchronous Rectification
? Battery Protection Circuit
? Motor D rives and Uninterruptible Power Supplies
D
D
G
S
D 2 -PAK
G
S
Absolute Maximum Ratings
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain-Source Voltage
Gate-Source voltage
Parameter
FDB2710
250
± 30
Unit
V
V
I D
Drain Current
- Continuous (T C = 25 ° C)
- Continuous (T C = 100 ° C)
50
31.3
A
A
I DM
Drain Current
- Pulsed
(Note 1)
See Figure 9
A
E AS
dv/dt
Single Pulsed Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 2)
(Note 3)
145
4.5
mJ
V/ns
P D
Power Dissipation
(T C = 25 ° C)
- Derate above 25 ° C
260
2.1
W
W/ ° C
T J, T STG
T L
Operating and Storage Temperature Range
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,
1/8” from Case for 5 Seconds
-55 to +150
300
° C
° C
Thermal Characteristics
Thermal Resistance, Junction to Ambient (1 in pad of 2 oz copper), Max.
Symbol
R θ JC
R θ JA
R θ JA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case, Max.
Thermal Resistance, Junction to Ambient (minimum pad of 2 oz copper), Max.
2
FDB2 710
0.48
62.5
40
Unit
° C/W
° C/W
° C/W
?200 6 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB2710 Rev. C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB28N30TM | MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK |
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| FDB3860 | MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB28N30 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET |
| FDB28N30TM | 功能描述:MOSFET 300V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDB301 | 制造商:DEC 制造商全称:DEC 功能描述:3 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
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