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参数资料
| 型号： | FDB2710 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 42.5 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 101nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7280pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 260W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB2710DKR |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
1.1
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
2.5
2
1.0
1
-50 0 50 100 150 200
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C]
0.9
0.8
-100
* Notes :
1. V GS = 0V
2. I D = 250 μ A
o
0
-100
* Notes :
1. V GS = 10V
2. I D = 25A
-50 0 50 100 150 200
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
500
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
60
100
10
100 μ s
1ms
50
40
DC
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
50 75 100 125
T C , Case Temperature [ C ]
1
0.1
0.01
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on) 10 ms
* Notes :
o
o
3. Single Pulse
10 100
Drain-Source Voltage, V DS [V]
400
30
20
10
0
25
o
150
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
10
0
0.5
10
1. Z θ JC (t) = 0.48 C/W Max.
10
10
10
10
10
10
10
-1
-2
- 3
10
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single pulse
-5
- 4
P DM
t 1
t 2
* Notes :
o
2. Duty Factor, D=t 1 /t 2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
-3 -2 - 1 0
Rectangular Pulse Duration [sec]
10
1
?200 6 Fairchild Semiconductor Corporation
FD B 2710 Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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